发明名称 保护结构
摘要 一种保护结构,用以容置一电子装置。保护结构包括有二第一缓冲壁、二第二缓冲壁及二第三缓冲壁,分别对应电子装置之长宽高三轴之两侧边设置。相邻之第一、第二缓冲壁系相连接,一第三缓冲壁之边缘与第一、第二缓冲壁相连接,而另一第三缓冲壁之一侧与第一缓冲壁或第二缓冲壁相连接。成对之第一、第二、第三缓冲壁都至少有一侧内容置有气体,能分别沿长宽高三轴朝电子装置膨胀而抵靠该电子装置之边缘,以紧密包覆电子装置并缓冲外力提供保护。
申请公布号 TW200920284 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW096143108 申请日期 2007.11.14
申请人 英业达股份有限公司 发明人 庄倩玫
分类号 A45C15/00(2006.01);G06F1/00(2006.01) 主分类号 A45C15/00(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 台北市士林区后港街66号