高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应电晶体

摘要

本发明涉及一种高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应电晶体，尢其公开了一种高迁移率垂直沟槽DMOSFET及其制造方法。该高迁移率垂直沟槽DMOSFET的源极区域，漏极区域或沟道区域可以包括提高沟道区域中的电荷载流子的迁移率的矽锗。在一些实施例中，该沟道区域可以受到应变以提高沟道电荷载流子的迁移率。