非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法。首先，在基底上依序形成绝缘层、导体材料层与研磨终止层。然后，在研磨终止层、导体材料层、绝缘层与部分基底中形成多个沟渠，并将导体材料层切割成多个导体块。继之，形成介电材料层，覆盖研磨终止层且填满沟渠。接着，进行一化学研磨制程，直至曝露出研磨终止层表面。之后，移除部分介电材料层，以形成多个沟渠隔离结构。随后，移除每一个导体块所曝露出来的部分侧壁，以形成多个浮置闸极。其中，每一个浮置闸极的宽度自其底部往顶部递减。