发明名称 记忆体器件介面方法、装置及系统
摘要 本发明揭示装置及系统,其可包括一基板、一安置于该基板上之介面晶片、一安置于该介面晶片上具有复数个记忆体阵列之第一记忆体晶粒,及一安置于该第一记忆体晶粒上具有复数个记忆体阵列之第二记忆体晶粒,其中该第一记忆体晶粒耦接至复数个贯穿晶圆互连(TWI),该第二记忆体晶粒包括复数个通道,其中该复数个通道经组态以允许该复数个TWI穿过该第二记忆体晶粒。该第二记忆体晶粒可耦接至一第二复数个TWI。以此方式,该介面晶片可用于使用该第一及该第二复数个TWI通信地耦接该第一记忆体晶粒与该第二记忆体晶粒。本发明亦揭示其他装置、系统及方法。
申请公布号 TW200921852 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW097132932 申请日期 2008.08.28
申请人 美光科技公司 发明人 乔M 杰德罗
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国