发明名称 |
形成积体电路之制造方法及其积体电路装置 |
摘要 |
本发明提供了一种用于形成积体电路装置的制造方法,以及相应的积体电路装置。用于形成积体电路装置的制造方法包括以下步骤:在衬底上形成第一层;在第一层上形成第二层;在第二层上形成覆盖层,其覆盖该层的第一区并且不覆盖第二区;以及同时在第一区中蚀刻第一接触孔和在第二区中蚀刻第二接触孔,以选择性的蚀刻至第二区中的覆盖层,并将蚀刻进行至第一区中的更深处。 |
申请公布号 |
TW200921848 |
申请公布日期 |
2009.05.16 |
申请号 |
TW097138004 |
申请日期 |
2008.10.02 |
申请人 |
奇梦达股份有限公司 |
发明人 |
奥雷 博斯霍尔姆;马克 雷沛尔;格茨 史普林格;德特勒夫 韦伯;格里特 伯恩斯朵夫;法兰克 皮茨许曼 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L27/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
主权项 |
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地址 |
德国 |