发明名称 形成积体电路之制造方法及其积体电路装置
摘要 本发明提供了一种用于形成积体电路装置的制造方法,以及相应的积体电路装置。用于形成积体电路装置的制造方法包括以下步骤:在衬底上形成第一层;在第一层上形成第二层;在第二层上形成覆盖层,其覆盖该层的第一区并且不覆盖第二区;以及同时在第一区中蚀刻第一接触孔和在第二区中蚀刻第二接触孔,以选择性的蚀刻至第二区中的覆盖层,并将蚀刻进行至第一区中的更深处。
申请公布号 TW200921848 申请公布日期 2009.05.16
申请号 TW097138004 申请日期 2008.10.02
申请人 奇梦达股份有限公司 发明人 奥雷 博斯霍尔姆;马克 雷沛尔;格茨 史普林格;德特勒夫 韦伯;格里特 伯恩斯朵夫;法兰克 皮茨许曼
分类号 H01L21/822(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L27/04(2006.01) 主分类号 H01L21/822(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国