Halbleitervorrichtung mit Transistor hoher Durchbruchspannung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung weist einen Transistor (3) hoher Durchbruchspannung mit einer Halbleiterschicht (4) auf. Die Halbleiterschicht (4) weist einen Elementeabschnitt (8) und einen Verdrahtungsabschnitt (9) auf. Der Elementeabschnitt (8) weist eine erste Verdrahtung (18) auf einer Vorderseite der Halbleiterschicht (4) und eine Rückseitenelektrode (19) auf einer Rückseite der Halbleiterschicht (4) auf. Der Elementeabschnitt (8) ist als vertikaler Transistor ausgelegt, der bewirkt, dass ein elektrischer Strom in einer Dickenrichtung der Halbleiterschicht (4) zwischen der ersten Verdrahtung (18) und der Rückseitenelektrode (19) fließt. Die Rückseitenelektrode (19) erstreckt sich in den Verdrahtungsabschnitt (9). Der Verdrahtungsabschnitt (9) weist eine zweite Verdrahtung (23) auf der Vorderseite der Halbleiterschicht (4) auf. Der Verdrahtungsabschnitt (9) und die Rückseitenelektrode (19) bilden einen Ziehdraht, der es dem elektrischen Strom ermöglicht, zur zweiten Verdrahtung (23) zu fließen.