发明名称 Method for forming gate-electrode in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100897248(B1) 申请公布日期 2009.05.14
申请号 KR20020084487 申请日期 2002.12.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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