发明名称 低相位噪声放大装置
摘要 本发明公开了一种低相位噪声放大装置,第一低相位噪声系数晶体管(BG1)与压控晶体低相位噪声振荡器连接起阻抗匹配,三个低相位噪声系数晶体管(BG2、BG3、BG4)组成共基极低相位噪声放大器,在第四低相位噪声系数晶体管(BG4)的集电极连接了调谐选频变压器(B1)和振荡电容(C7)。第五低相位噪声系数晶体管(BG5)的发射极同时经过电阻(R17)连接到交流阻抗桥型混合线圈(B2)后输出两路信号。本发明克服了现有技术谐波干扰严重,多个输出端时互相干扰的不足,提供了一种相位噪声放大低,谐波干扰小,能同时输出多路相互不干扰的信号的装置,可以广泛应用在通讯领域。
申请公布号 CN101431324A 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200810147766.7 申请日期 2008.12.03
申请人 西安大唐电信有限公司 发明人 李忠文;曾 勇;刘家君;郝 东;胡 磊
分类号 H03K5/15(2006.01)I 主分类号 H03K5/15(2006.01)I
代理机构 四川省成都市天策商标专利事务所 代理人 王 荔
主权项 1、一种低相位噪声放大装置,输入信号经过电容(C1)接入第一低相位噪声系数晶体管(BG1)的基极,第一低相位噪声系数晶体管(BG1)的集电极接入参考电压,第一低相位噪声系数晶体管(BG1)的基极经过电阻(R2)接入参考电压,第一低相位噪声系数晶体管(BG1)的发射极经过电阻(R5)、电容(C3)进入第二低相位噪声系数晶体管(BG2)的基极;第二低相位噪声系数晶体管(BG2)的发射极接地的同时经过电阻(R12)、并联的电阻(R13)和电容(C9)后,一路经过电阻(R4)接入第一低相位噪声系数晶体管(BG1)的发射极,另外一路经过电阻(R6)接入第二低相位噪声系数晶体管(BG2)的基极,第二低相位噪声系数晶体管(BG2)的基极还经过电阻(R7)接入第三低相位噪声系数晶体管(BG3)的基极;第二低相位噪声系数晶体管(BG2)的集电极经过电容(C8)接地,第二低相位噪声系数晶体管(BG2)的集电极同时经过电阻(R11)接地并接入第三低相位噪声系数晶体管(BG3)的发射极;第三低相位噪声系数晶体管(BG3)的集电极经过电阻(R10)接入第四低相位噪声系数晶体管(BG4)的发射极,第三低相位噪声系数晶体管(BG3)的基极经过电阻(R8)接入第四低相位噪声系数晶体管(BG4)的基极;第四低相位噪声系数晶体管(BG4)的基极经过电阻(R9)接入参考电压;其特征在于第四低相位噪声系数晶体管(BG4)的集电极连接了调谐选频变压器(B1)和振荡电容(C7);调谐选频变压器(B1)经过电阻(R13)、电容(C10)组成的缓冲衰减器后接入第五低相位噪声系数晶体管(BG5)的基极;第五低相位噪声系数晶体管(BG5)的集电极与参考电压连接,第五低相位噪声系数晶体管(BG5)的发射极串联电阻(R16)后接地,再通过电阻(R15)和第五低相位噪声系数晶体管(BG5)的基极连接,第五低相位噪声系数晶体管(BG5)的发射极同时经过电阻(R17)连接到交流阻抗桥型混合线圈(B2)后输出两路信号。
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