发明名称 |
控制蚀刻偏差的方法 |
摘要 |
本发明提供一种控制蚀刻偏差的方法,蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值;其中,该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤,首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库,然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤,该自动控制步骤包括如下子步骤:a1.先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值,然后获取对应的蚀刻偏差;a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距;a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。本发明有效克服曝光焦距在使用过程中由于漂移导致这一缺陷;还可以实时监控蚀刻偏差,根据蚀刻偏差实时调整曝光焦距。 |
申请公布号 |
CN101430566A |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200710048000.9 |
申请日期 |
2007.11.08 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
罗大杰 |
分类号 |
G05D3/20(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G05D3/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所 |
代理人 |
屈 蘅;李时云 |
主权项 |
1、一种控制蚀刻偏差的方法,蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值;其特征在于:该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤,首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库,然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤,该自动控制步骤包括如下子步骤:a1. 先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值,然后获取对应的蚀刻偏差;a2. 搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距;a3. 将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。 |
地址 |
201203上海市张江路18号 |