发明名称 陶瓷接合体、基片支承构造体及基片处理装置
摘要 提供一种基片支承构造体,所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度,在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本发明基片支承构造体的支承体(1)包括:支承基片用的陶瓷基体(2),其具有电路(4、5、6);与所述陶瓷基体(2)的所述电路(4、5、6)连接的供电用导电构件(13a~13d);接合在陶瓷基体(2)上并且包围所述供电用导电构件(13a~13d)的保护筒体(7);位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8),其氦漏气率小于1.0×10<sup>-8</sup>Pa·m<sup>3</sup>/S。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2%以上质量70%以下、氧化铝质量10%以上质量78%以下、氮化铝质量2%以上质量50%以下。该接合层(8)包含通过使所述氮化铝溶解再析出现象析出形成的氮化铝粒子,在接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。
申请公布号 CN100486933C 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN02801227.5 申请日期 2002.04.11
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 柊平启;夏原益宏;仲田博彦
分类号 C04B37/00(2006.01)I;H01L21/68(2006.01)I 主分类号 C04B37/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 杨 梧;马高平
主权项 1. 一种基片支承构造体(1),是处理基片时支承基片的基片支承构造体(1),其特征在于,包括:用于支承基片的陶瓷基体(2),其具有电路(4、5、6);与所述陶瓷基体(2)的所述电路(4、5、6)连接的供电用导电构件(13a~13d);接合在所述陶瓷基体(2)上并且包围所述供电用导电构件(13a~13d)的气密密封构件(7);位于所述陶瓷基体(2)与所述气密密封构件(7)之间并把所述陶瓷基体(2)和所述气密密封构件(7)接合的接合层(8),该接合层(8)氦漏气率小于1.0×10-8Pa·m3/S,其中,所述接合层(8)仅由稀土氧化物质量2%以上质量70%以下、氧化铝质量10%以上质量78%以下和氮化铝质量2%以上质量50%以下组成,且包含通过使所述氮化铝溶解再析出现象析出形成的氮化铝粒子,在所述接合层(8)中所述三种成分中所述氧化铝的比例最多。
地址 日本大阪府