半导体装置的制造方法及固体成像装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法及固体成像装置的制造方法，本发明所涉及的半导体装置的制造方法具备：在半导体基板上的第1绝缘薄膜上形成开口的元件分离区域图形的工序；在半导体基板的元件分离区域整体形成沟槽的工序；形成第2绝缘薄膜的工序，用于覆盖形成了图形的第1绝缘薄膜整体，并填埋于沟槽的内部；在经元件分离区域分隔开的活性区域内形成孔的工序；及，通过研磨除去形成了孔的第2绝缘薄膜，仅在沟槽内部残留第2绝缘薄膜的工序；在形成孔的工序中，设定第1电路区域中的间隔小于第2电路区域中的间隔，其中，所述间隔为经元件分离区域分割开的活性区域的外周与形成于该活性区域内的孔的区域的外周之间的间隔。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置具备第1及第2电路区域，所述第1及第2电路区域分别含有用于形成元件的活性区域，并且，所述第1电路区域所含有的活性区域在整个所述第1电路区域中所占的比率大于所述第2电路区域所含有的活性区域在整个所述第2电路区域中所占的比率；所述半导体装置的制造方法的特征在于：所述半导体装置的制造方法包括，在半导体基板上的整个所述第1及第2电路区域上形成第1绝缘薄膜后，选择性地对所述第1绝缘薄膜进行刻蚀，形成开口的元件分离区域图形的工序，其中，所述元件分离区域用于隔开所述第1及第2电路区域中分别所含有的活性区域；将形成了所述图形的第1绝缘薄膜作为掩模，对所述半导体基板进行刻蚀，在整个所述元件分离区域形成沟槽的工序；形成第2绝缘薄膜的工序，使所述第2绝缘薄膜覆盖于形成了所述图形的第1绝缘薄膜上的所述第1及第2电路区域整体，并填埋于所述沟槽的内部；选择性地对所述第2绝缘薄膜进行刻蚀，在由所述元件分离区域分隔开的活性区域内形成孔的工序；及，通过研磨除去形成了所述孔的第2绝缘薄膜，仅在所述沟槽内部残留所述第2绝缘薄膜的工序；在形成所述孔的工序中，所述第1电路区域中的间隔小于所述第2电路区域中的间隔，所述间隔为经所述元件分离区域分隔开的活性区域的外周与形成于该活性区域内的所述孔的区域的外周之间的间隔。