| 发明名称 | 化学机械研磨系统及研磨液 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种采用表面化学剪裁机制研磨其上沉积有聚合物膜表面的半导体基底，再对该化学剪裁表面进行化学机械抛光的系统和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100487870C | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200680002376.X | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 杨春晓;俞昌 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1. 一种用于化学机械抛光聚合物膜表面的研磨液，包含研磨颗粒，和一种或多种选自以下的化学物质：pH值调节剂、表面活性剂、氧化剂，其中所述研磨颗粒为含有过氧键(-O-O-)化合物或有机聚合物包覆的研磨颗粒。 | ||
| 地址 | 201203中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||