半导体芯片及其制作方法

摘要

本发明通过使用转移技术，提供由薄膜形成的多个元件形成层集成的半导体芯片。本发明利用转移技术先暂时从衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并转移到其他衬底上，然后再从另一个衬底剥离膜厚50μm或更薄的元件形成层并将其转移层叠到先前的元件形成层上，如此重复就可以实现常规三维组装的半导体芯片所没有实现的薄膜化，形成高集成化的半导体芯片。

主权项

1. 一种半导体芯片，它包含：在导热性衬底上提供包含多个薄膜晶体管的膜厚不大于50μm的第一元件形成层，导热性衬底与第一元件形成层之间夹有第一粘合层；在所述第一元件形成层上形成的导热性膜；在所述导热性膜上形成包含多个薄膜晶体管的膜厚不大于50μm的第二元件形成层，导热性膜与第二元件形成层之间夹有第二粘合层。