发明名称 一种有机发光场效应晶体管
摘要 一种有机发光场效应晶体管的制备方法,包括以下步骤:A)在衬底上进行匀胶、曝光、显影、蒸镀至少一层金属、剥离,得到图案化的栅极电极;将栅极图案化以后的衬底采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层;然后按照上述方法构筑源电极、第二层绝缘层和漏电极;其中源电极为高功函的金属,漏电极为低功函的金属,得到分别由不同功函金属作为源漏电极的下电极结构;在步骤A制备的下电极结构上,以一定倾角沉积有机场效应材料,使有机场效应材料和漏电极之间存在1~100纳米的狭缝,然后以相反方向采用有机物成膜方法沉积有机电致发光材料,得到平行排列的有机半导体异质结。
申请公布号 CN100487941C 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200610089448.0 申请日期 2006.06.28
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 于贵;狄重安;徐新军;刘云圻;朱道本
分类号 H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/40(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周长兴
主权项 1、一种有机发光场效应晶体管的制备方法,包括以下步骤:A)下电极结构的制备在衬底上进行匀胶、曝光、显影、蒸镀至少一层金属、剥离,得到图案化的栅极电极;将栅极图案化以后的衬底采用绝缘层成膜方式沉积至少一层绝缘层;然后按照上述方法构筑源电极、第二层绝缘层和漏电极;其中源电极为高功函的金属,漏电极为低功函的金属,得到分别由不同功函金属作为源漏电极的下电极结构;B)有机半导体材料的沉积在步骤A制备的下电极结构上,以一定倾角沉积有机场效应材料,使有机场效应材料和漏电极之间存在1~100纳米的狭缝,然后以相反方向采用有机物成膜方法沉积有机电致发光材料,得到平行排列的有机半导体异质结;其中有机场效应材料为并五苯;其结构式如式1所示;其中有机电致发光材料为3-(8-羟基喹啉)铝,其结构式如式2所示;<img file="C200610089448C00021.GIF" wi="768" he="227" />式1<img file="C200610089448C00031.GIF" wi="1010" he="823" />式2。
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