发明名称 光刻投影装置和器件制造方法
摘要 一种包括曝光系统和测量系统的光刻投影装置,该曝光系统包括辐射系统;支撑结构;第一基底台;投影系统;以及第一控制装置。测量系统包括:光学测量设备;第二基底台;第二控制装置。该光刻投影装置还包括:用于确定校正信号的校正确定装置,该校正信号用于至少部分地校正曝光系统和测量系统之一的可移动部分的位置误差,该误差由曝光系统和测量系统中另一个的可移动部分的移动而产生,第一基底台和第二基底台的位置传感器提供位置信息给校正确定装置,校正确定装置根据第一基底台和第二基底台的各自的位置传感器提供的信息计算校正信号;以及用于将校正信号馈入第一或第二控制装置的馈送装置,该校正信号用于至少部分地校正曝光系统和测量系统之一的位置。本发明还提供一种器件制造方法。
申请公布号 CN100487581C 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200410063230.9 申请日期 2004.06.30
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 E·H·J·德拉埃耶;M·A·W·奎佩尔斯;M·菲恩;M·J·E·G·布罗伊克尔斯;M·霍克斯;E·T·范东克拉尔
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1. 一种包括曝光系统和测量系统的光刻投影装置,该曝光系统包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据所需的图案对投射光束进行构图;用于保持第一基底的第一基底台;用于将带图案的光束投射到第一基底的目标部分上的投影系统,该投影系统包括用于控制投射到第一基底的目标部分上的投影控制装置;以及用于移动曝光系统的可移动部分使带图案的光束可相对于第一基底移动的第一控制装置,测量系统包括:用于将测量光束投射到第二基底的目标部分上,并测量第二基底的目标部分的表面性质的光学测量设备;用于保持第二基底的第二基底台;以及用于移动测量系统的可移动部分使测量光束可相对于第二基底移动的第二控制装置,其特征在于该光刻投影装置进一步包括:用于确定校正信号的校正确定装置,该校正信号用于至少部分地校正曝光系统和测量系统之一的可移动部分的位置误差,该误差由曝光系统和测量系统中另一个的可移动部分的移动而产生,第一基底台和第二基底台的位置传感器提供位置信息给所述校正确定装置,所述校正确定装置根据第一基底台和第二基底台的各自的位置传感器提供的信息计算校正信号;以及用于将校正信号馈入第一或第二控制装置的馈送装置,该校正信号用于至少部分地校正曝光系统和测量系统之一的位置。
地址 荷兰维尔德霍芬