| 发明名称 | 用多面体分子倍半硅氧烷,形成半导体器件用层间电介质膜的方法 | ||
| 摘要 | 此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂(微孔生成物)，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且把组合物涂敷在基板上以形成半导体器件所用的层间电介质膜。由本方法形成的层间电介质膜具有低介电常数并显示出优良的机械特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101429338A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810181832.2 | 申请日期 | 2004.11.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申铉振;郑铉潭 |
| 分类号 | C08L83/04(2006.01)I;C08K5/5415(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | C08L83/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋 莉;金拟粲 |
| 主权项 | 1. 一种用于形成电介质膜的组合物，包括：由下面的化学式2表示的至少一种多面体分子倍半硅氧烷：[SiO1. 5]n-(R)n (2)其中，取代基R彼此相同或不同，并且各自独立地为氢原子、卤原子、羟基、或C1-20烷基、链烯基、炔基、芳基或烷氧基、或-OSir1r2r3，其中r1、r2和r3各自独立地为氢原子、卤原子、或C1-20烷基、链烯基、炔基、芳基或烷氧基，至少一种取代基R为可水解的官能团，并且n为10、12、14或16；耐热硅氧烷母体；以及溶解上述两种组分的溶剂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||