局部硅氧化隔离结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种局部硅氧化隔离结构的制备方法，其通过在高温氧化硅衬底前，先在硅衬底下注入一定剂量的硅原子，以减少高温氧化的时间，从而有效抑制了氧化时氧化硅横向扩展的现象。可广泛适用于半导体器件制备的隔离工艺中。

主权项

1、一种局部硅氧化隔离结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：(1)衬底上生长氧化硅和氮化硅；(2)进行光刻定义隔离氧化硅区域，刻蚀去掉所述隔离氧化硅区域的氮化硅和氧化硅；(3)以氮化硅为掩膜层，将氧原子注入硅衬底中；(4)高温氧化，形成隔离氧化硅；(5)去除硅衬底表面的氮化硅和氧化硅。