半导体发光装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光装置及其制造方法。本发明的半导体发光装置的特征在于，具备：硅半导体基板(1)；由形成在该半导体基板(1)中的低电阻的半导体层构成的第一布线导体层(2，3)；配置在第一布线导体层(2，3)上的多个发光半导体区域(4a～4f)；与发光半导体区域(4a～4f)的上表面连接的第二布线导体层(5，6，7)。将第一布线导体层(2，3，4)连接到各发光半导体区域(4a～4f)的下表面，所以，能够谋求半导体发光装置的小型化。

主权项

1. 一种半导体发光装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有一个以及另一个主面，并且具有第一导电型；第一布线导体层，在所述半导体基板的所述一个主面中选择性地形成，并且，由具有与所述第一导电型相反的第二导电型的半导体层构成；多个发光半导体区域，分别配置在所述第一布线导体层上，并且，分别具有在光取出中所使用的一个主面、和与该一个主面对置且电连接到所述第一布线导体层上的另一个主面，并且分别具有用于发光的多个半导体层；分别与各发光半导体区域的一个主面电连接的多个第二布线导体层。