| 发明名称 | 具有电荷俘获层的非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有电荷俘获层的非易失性存储器及制造该非易失性存储器的方法。非易失性存储器包括：衬底；设置在衬底上的隧穿层；设置在隧穿层上的电荷俘获层；设置在电荷俘获层上的第一阻挡层；设置在第一阻挡层上的第二阻挡层；以及设置在第二阻挡层上的控制栅极。第一阻挡层和电荷俘获层之间的第一带隙大于第二阻挡层和电荷俘获层之间的第二带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN101431105A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810174852.7 | 申请日期 | 2008.11.07 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴基善;周文植;金容漯;朴宰颍;李起洪 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李昕巍 |
| 主权项 | 1. 一种非易失性存储器，包括：衬底；所述衬底之上的隧穿层；所述隧穿层之上的电荷俘获层；所述电荷俘获层之上的第一阻挡层；所述第一阻挡层之上的第二阻挡层；以及，所述第二阻挡层之上的控制栅极，其中所述第一阻挡层和所述电荷俘获层之间的第一带隙大于所述第二阻挡层和所述电荷俘获层之间的第二带隙。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||