| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：(A)提供向其涂敷了光致抗蚀剂(43)的晶片(1)；(B)通过将晶片(1)暴露在穿过具有透明部分(11)的掩模(10)的光线下，在光致抗蚀剂(43)中形成反应部分(44)，所述反应部分(44)是与光线起反应的部分；以及(C)通过溶解反应部分(44)，形成抗蚀剂掩模(45)，它具有与透明部分(11)相对应的开口部分(46)。在(B)过程中的曝光量为第一曝光量的情况下，开口部分(46)没有穿透光致抗蚀剂(43)。另一方面，在曝光量为大于第一曝光量的第二曝光量的情况下，开口部分(46)穿透光致抗蚀剂(43)。 | ||
| 申请公布号 | CN100487586C | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200610105445.1 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 柳泽正之 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，包括：(A)提供向其涂敷了光致抗蚀剂的晶片；(B)通过将晶片暴露在穿过具有透明部分的掩模的光线下，在光致抗蚀剂中形成反应部分，所述反应部分是与所述光线起反应的部分；以及(C)通过溶解所述反应部分，形成抗蚀剂掩模，所述抗蚀剂掩模具有与所述透明部分相对应的开口部分，其中，在所述(B)过程中的曝光量为第一曝光量的情况下，所述开口部分(46)没有穿透所述光致抗蚀剂，而在所述曝光量为大于所述第一曝光量的第二曝光量的情况下，所述开口部分穿透所述光致抗蚀剂。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||