发明名称 |
利用处理的光刻胶来制造半导体器件的方法 |
摘要 |
通过刻图用于形成晶体管(80、82、84)栅极(60、62、64)的导电层(16)制造半导体器件(50)。形成栅极(60、62、64)的工艺具有刻图覆盖导电层(16)的光刻胶(54、56、58)的步骤。剪裁刻图的光刻胶(54、56、58)使得其宽度降低。向剪裁的光刻胶(54、56、58)施加氟,优选为F<sub>2</sub>,以增大其硬度及其对于导电层的选择性。利用剪裁的和氟化的光刻胶(54、56、58)作为掩模,刻蚀导电层(16)形成用作栅极(60、62、64)的导电元件。形成晶体管(80、82、84),其中导电柱是栅极(60、62、64)。其它卤素,具体为氯,可代替氟。 |
申请公布号 |
CN100487873C |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200580004804.8 |
申请日期 |
2005.01.12 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
塞萨尔·M·加尔萨;威廉·D·达林顿;斯坦利·M·菲利皮亚克;詹姆斯·E·瓦谢克 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
黄启行;穆德骏 |
主权项 |
1. 一种形成半导体器件的方法,包括:提供衬底;提供覆盖所述衬底、将被刻图的层;提供覆盖在所述将被刻图的层上的刻图的光刻胶层,所述刻图的光刻胶层具有最小尺度;剪裁所述刻图的光刻胶层;施加分子氟F2气体至所述刻图的光刻胶层,以使所述光刻胶层的性质变得对于后续刻蚀处理更加耐受;以及将所述剪裁的刻图光刻胶层的图案传送至将要被刻图的层。 |
地址 |
美国得克萨斯 |