| 发明名称 | 一种二氧化锡纳米草叶气敏传感器及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种二氧化锡纳米草叶气敏传感器及其制备方法和应用，该传感器的结构自下往上依次为硅片、二氧化硅绝缘层膜、梳状交叉电极和二氧化锡纳米草叶气敏传感层，梳状交叉电极之间的距离是100～300nm；二氧化锡纳米草叶气敏传感层的纳米草叶的尺度为100～1000纳米，厚度为10～30纳米，长度达30～50微米。该制备方法首先利用微加工方法制备梳状交叉电极；然后利用热蒸发法在制好的梳状交叉电极上合成二氧化锡纳米草叶，即制得二氧化锡纳米草叶气敏传感器。本发明可在环境气体检测领域中应用。本发明制备工艺简单，成本低廉，可实现大批量集成化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN100487443C | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200610123616.3 | 申请日期 | 2006.11.17 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 杨国伟;王冰;杨玉华 |
| 分类号 | G01N27/407(2006.01)I;G01N27/12(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/407(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | 裘 晖;杨晓松 |
| 主权项 | 1、一种二氧化锡纳米草叶气敏传感器，其特征在于：所述传感器自下往上依次为硅片、二氧化硅绝缘层膜、梳状交叉电极和二氧化锡纳米草叶气敏传感层；所述梳状交叉电极之间的距离是100～300nm；所述二氧化锡纳米草叶气敏传感层的纳米草叶的尺度为100～1000纳米，厚度为10～30纳米，长度达30～50微米。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||