CMOS自适应偏置电路

摘要

本发明公开了一种应用于多级射频集成功率放大器中的CMOS自适应偏置电路，电路中第一电容将检测到的前一级输出交流功率信号耦合进来，第二电阻和第二电容构成低通滤波器1。前半部分起功率检测作用：随着检测信号强度增加，耦合进来的信号在节点N处正的成分逐渐增加，经整流和滤波后，PMOS管MP栅极电位增加，源极电位相应的增加。第三电阻、第三电容和NMOS管MN构成低通滤波器2，进一步降低MP源极的交流成分，使其直流成份稳定。NMOS管MN起分压作用，使低通滤波器2的电阻和电容能在合理范围内取值，进而达到缩小面积的作用。PMOS管MP源极和偏置点通过第四电阻隔离开，减小了这个偏置电路对后一级的影响。

主权项

1. 一种CMOS自适应偏置电路，其特征在于：构成该电路的器件之间的连接方式：第一电容(C1)的一端与功率检测点相连，其另一端经节点N与第一电阻(R1)的一端和二极管(D1)的阴极相连；第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端、第二电容(C2)的一端和PMOS管(MP)的栅极相连；二极管(D1)的阳极、第二电阻(R2)的另一端、第二电容(C2)的另一端、PMOS管(MP)的漏极接地；PMOS管(MP)的源极和衬底与第三电阻(R3)的一端和第四电阻(R4)的一端相连；第四电阻(R4)的另一端与偏置点相连；NMOS管(MN)的源极与第三电阻(R3)的另一端相连，衬底接地，栅极和漏极相连到电源(Vdd)；第三电容(C3)的一端与电源(Vdd)相连，另一端与PMOS管(MP)的源极相连。