等离子体促使调节和改善临界尺寸均匀性的系统和方法

摘要

一种新颖的包括OSG或聚合基的互连结构(90nm或更细的BEOL技术)，其中利用先进的等离子体处理降低半导体器件中的光刻后CD不均匀性(线条边缘粗糙度)。该新颖的互连结构具有改进的衬里和籽晶保形性，从而可以获得改善的器件性能、功能性和可靠性。

主权项

1. 一种用于改善光刻后结构的临界尺寸均匀性的方法，包括如下步骤，在适于降低形成的光刻后结构的均方根线条边缘粗糙度的工艺条件下，实施用于蚀刻光刻后结构的双频电容性等离子体蚀刻工艺，其中所述双频电容性等离子体蚀刻工艺被施加到在构图的光刻后结构下面的旋涂或化学气相沉积型抗反射涂层材料，所述双频电容性等离子体蚀刻工艺包括，调节等离子体蚀刻化学试剂，使得将产生的化学反应物质化学吸收到抗反射涂层材料表面上的速度大于从所述表面溅射挥发性吸附物的速度，从而有利于增加各向同性蚀刻，并导致降低临界尺寸不均匀性和均匀线宽变化。