Ge/Si量子环电荷存储器制备方法

摘要

本发明公开一种Ge/Si量子环电荷存储器制备方法，首先应用准分子激光器产生的KeF脉冲激光作为激光源在p-硅衬底上热氧化5nm厚的SiO₂层，在600℃高温下引入Ar作为缓冲气体，快速退火，激光沉积得到10nm厚二维的Ge量子环结构的薄膜，最后在量子环上面脉冲激光溅射10nm厚SiO₂保护层并进行热氧化，对Ge量子环进行钝化，然后对衬底进行切割减薄后，上、下蒸电极，形成欧姆接触，得到MOS结构的电荷存储器。本发明具有工艺简单，生长速率高、生产成本低，适用大批量生产和工业化使用。

主权项

1、一种Ge/Si量子环电荷存储器制备方法，其特征在于：首先应用准分子激光器产生的KeF脉冲激光作为激光源在p-硅衬底上热氧化5nm厚的SiO2层，在600℃高温下引入Ar作为缓冲气体，快速退火，激光沉积得到10nm厚二维的Ge量子环结构的薄膜，最后在量子环上面脉冲激光溅射10nm厚SiO2保护层并进行热氧化，对Ge量子环进行钝化，然后对衬底进行切割减薄后，上、下蒸电极，形成欧姆接触，得到MOS结构的电荷存储器。