发明名称 使用CMOS技术的矩阵图像记录器
摘要 本发明涉及一种矩阵图像传感器,该传感器尤其用于数字摄影。本发明在每个像素中提供了一个驱动器,该驱动器允许对整个矩阵进行共同的曝光控制。该驱动器包括五个晶体管(T1到T5),一个光敏二极管(PD1),以及除了供电导线(Vdd)和地线以外的四条控制导线,它们是:矩阵中所有像素公共的曝光控制导线(TRA);任一行中所有像素公共的行选择导线(SEL);任一行中所有像素公共的复位导线(RESET);以及列导线,在对该矩阵的像素中产生的电荷进行逐行读取期间,用于收集从这些像素上读取的信号。
申请公布号 CN100487902C 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200480014256.2 申请日期 2004.04.22
申请人 E2V半导体公司 发明人 路易斯·布里索
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王 英
主权项 1. 一种图像传感器,包括光敏元件矩阵,在该矩阵的每行和每列相交的区域内具有一个像素,该像素包括:n型传导性的光敏区域(N1),能够存储一次曝光时间内的光敏电荷;n型存储区域(N2),能够接收并临时存储来自所述光敏区域的所述电荷;第一转移栅极(G1),用于控制从所述光敏区域(N1)到所述存储区域(N2)的电荷转移;第二转移栅极(G2),用于控制从所述光敏区域(N1)到整个矩阵公共的供电导线(Vdd)的电荷转移;第三转移栅极(G3),用于控制所述存储区域(N2)和所述供电导线(Vdd)之间电荷转移;第一跟随器MOS晶体管(T4),其漏极连接到所述供电导线,且其栅极由第四转移栅极(G4)形成,该栅极连接到所述存储区域(N2),以使得当所述第一MOS晶体管导电时,该MOS晶体管的源极电位跟随所述存储区域的电位的变化;第二MOS晶体管(T5),用于控制所述第一跟随器MOS晶体管(T4)内的电流传导,所述第二MOS晶体管(T5)的漏极连接到所述第一跟随器MOS晶体管(T4)的源极,所述第二MOS晶体管(T5)的源极连接到任一列中所有像素公共的列导线(COL),以及所述第二MOS晶体管(T5)的栅极由第五转移栅极(G5)形成,所述传感器还包括:第一行导线(SEL),其连接到任一行中所有像素的所述第二和第五转移栅极;第二行导线(RESET),其连接到任一行中所有像素的所述第三转移栅极;以及第三导线(TRA),其连接到所述矩阵中所有像素的所述第一转移栅极。
地址 法国圣埃格雷沃