发明名称 |
高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法,首先利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法,控制辉光功率和硅烷浓度,采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层;然后在等离子体辉光不灭的情况下,调节辉光功率和硅烷浓度,采用第二沉积速率在第一本征本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层,所述的第一沉积速率小于所述的第二沉积速率。本发明首先通过采用较低的辉光功率和较小的硅烷浓度,达到用较低沉积速率在P层上沉积,以获得低缺陷态高晶化的本征微晶硅薄膜层,进而提高电池效率。 |
申请公布号 |
CN100487926C |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200710150221.7 |
申请日期 |
2007.11.19 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
耿新华;韩晓艳;张晓丹;赵颖;侯国付;魏长春;孙健;张德坤 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 |
代理人 |
廖晓荣 |
主权项 |
1、一种沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法,其特征在于,包括以下步骤:A、利用超高频等离子体增强化学气相沉积方法,控制辉光功率和硅烷浓度,采用第一沉积速率在P层上沉积第一本征微晶硅薄膜层;所述第一本征微晶硅薄膜层缺陷率α(0.8eV)<2cm-1,晶化率Xc>60%;B、在等离子体辉光不灭的情况下,调节辉光功率和硅烷浓度,采用第二沉积速率在第一本征微晶硅薄膜上生长形成第二本征微晶硅薄膜层。 |
地址 |
300071天津市南开区卫津路94号 |