制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片

摘要

本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。

主权项

1. 一种制作氮化镓结晶的方法，其特征在于包括：准备氮化镓基板的工序，该氮化镓基板包含：具有大于第1位错密度的位错密度的多个第1区域、具有小于该第1位错密度的位错密度的第2区域、以及具有呈现上述第1区域的第1区及呈现上述第2区域的第2区的主面；于上述各第1区处形成凹部而制作晶种基板的工序；以及以形成对应于凹部的空隙的方式，利用液相生长法或气相生长法使氮化镓结晶于上述晶种基板上生长的工序。