用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法

摘要

本发明公开了一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；电子束光刻，对顶层胶进行曝光；对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得到顶层胶光刻图形；利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；在得到的内切图形上蒸发金属；依次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。利用本发明，解决了双层胶的内切结构变得模糊不清的问题，具有分辨率高、可靠性高、重复性好等优点，在纳米电子器件制备中有着广泛的应用前景。

主权项

1、一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、清洗基片，烘干；步骤2、在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；步骤3、在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；步骤4、电子束光刻，对顶层胶进行曝光；步骤5、对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得到顶层胶光刻图形；步骤6、利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；步骤7、在得到的内切图形上蒸发金属；步骤8、依次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。