主权项 |
1、一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法,其步骤包括:(1)清洗聚酰亚胺薄膜,作为柔性衬底;(2)在真空条件下对衬底进行预烘,预烘温度为200~300℃,清除聚酰亚胺薄膜中包含的挥发性物质;(3)在聚酰亚胺薄膜上制备A1背电极;(4)在A1背电极上制备ZnO薄膜缓冲层,其中衬底温度为200~300℃,氩氧比:15∶0~35∶0,本底真空度10-3~10-4Pa,溅射功率:80~150W,溅射气压:1Pa,溅射时间:1小时~2小时;(5)按照下述过程在ZnO薄膜缓冲层上制备NIP非晶硅薄膜:(5. 1)在ZnO薄膜缓冲层上制备N型微晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:PH3:20~40sccm,SiH4:10~15sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃,溅射气压为1Pa,溅射时间为1分钟~2分钟;(5. 2)在N型微晶硅薄膜上制备I型非晶硅薄膜,其中通入的各气体流量为:SiH4:15~25sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃,溅射气压为1Pa,溅射时间为40分钟~1小时;(5. 3)在I型非晶硅薄膜上制备P型非晶碳化硅薄膜,其中通入的各气体流量为:B2H6:25sccm,CH4:35sccm,SiH4:40sccm,射频功率为80~150W,衬底温度为180~240℃,溅射气压为1Pa,溅射时间为30秒~1分钟;(6)在P型非晶碳化硅薄膜上制备A1前电极。 |