制程腔体内环境的检测方法

摘要

本发明公开了一种制程腔体内环境的检测方法，涉及半导体领域的检测工艺。现有检测方法仅能检测到是否有气体泄漏，不能检测到是否存在残留物质。本发明的检测方法包括如下步骤：将测试晶圆放入制程腔体内，关闭与该制程腔体连接的气体管道；将制程腔体加热到预定温度；对制程腔体进行保温步骤；降低制程腔体的温度；测量测试晶圆表面生成薄膜的厚度，将该厚度与基准厚度比较，若前者大于后者，说明该制程腔体内有氧化性气体泄漏和/或者氧化性残留物质，反之，说明该制程腔体内没有氧化性气体泄漏和氧化性残留物质。相较现有技术，本发明的检测方法既可以检测到是否有氧化性气体泄漏制程腔体内，也可以检测到制程腔体内是否有氧化性残留物质。

主权项

1. 一种制程腔体内环境的检测方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.将测试晶圆放入制程腔体内，关闭与该制程腔体连接的气体管道；b.将制程腔体加热到预定温度；c.对制程腔体进行保温步骤；d.降低制程腔体的温度；e.测量测试晶圆表面生成薄膜的厚度，将该厚度与该测试晶圆在正常制程腔体内经过上述步骤后生成薄膜的厚度进行比较，若前者大于后者，说明该制程腔体内有氧化性气体泄漏和/或者氧化性残留物质，反之，说明该制程腔体内没有氧化性气体泄漏和氧化性残留物质。