| 发明名称 | 缺陷分布图案的对照方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供缺陷分布图案的对照方法和装置。本发明的对照装置包括缺陷检查部(72)、基准图案存储部(74)、图案对照部(76)、对照结果处理部(78)、和输出部(80)。检查部(72)对由处理系统处理的半导体晶片等被处理体进行检测，得到在其表面产生的缺陷的分布图案。存储部(74)预先存储表示在处理系统中与被处理体接触或接近的特定部分的特征形状的基准图案。对照部(76)对由检查部(72)得到的缺陷的分布图案和存储在存储部(74)中的基准图案进行对照。对照结果处理部(78)基于对照部(76)的对照，求取两图案的一致度。输出部(80)将求得的一致度通过显示器(80A)等输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101432866A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200780015403.1 | 申请日期 | 2007.05.16 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 花田良幸 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种对照方法，其为对在由处理系统处理的被处理体的表面上产生的缺陷的分布图案进行对照的方法，其特征在于，包括：预先记录表示在所述处理系统中与被处理体接触或接近的特定部分的特征形状的基准图案的工序；对已由所述处理系统处理过的被处理体进行检查，获得在其表面产生的缺陷的分布图案的工序；对所述基准图案与所述缺陷的分布图案进行对照的工序；和根据所述对照，求取两图案的一致度的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||