绝缘栅半导体器件

摘要

本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。

主权项

1. 一种绝缘栅半导体器件，包括：体区，位于半导体衬底的上面侧，且是第一导电类型的半导体；漂移区，与所述体区的底部接触，且是第二导电类型的半导体；第一沟槽组，当从上方观察时其形成为条形，穿过所述体区，且包含栅电极；第二沟槽，当从上方观察时其具有形成为弧形的部分；第一浮置区，被所述漂移区包围，包围所述第一沟槽组的至少一个沟槽的底部，且是第一导电类型的半导体；以及第二浮置区，被所述漂移区包围，包围所述第二沟槽的底部，与所述第一浮置区在所述衬底中的厚度方向的位置相同，且是第一导电类型的半导体，当从上方观察时，所述第二沟槽是包围所述第一沟槽组的终端沟槽；根据所述第二沟槽的拐角的曲率，所述第一沟槽组中的沟槽的长度不同；以及当从上方观察时，所述第一沟槽组的每个沟槽的端部均与所述第二沟槽的侧面相对，所述第一沟槽组的每个沟槽的端部与所述第二沟槽的侧面之间的最短距离均匀。