| 发明名称 | 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法。本发明方法特征是：氮化镓生长转入初次二维生长一段时间后，采用低V/III比生长来改变生长模式，氮化镓外延层的生长过程包括低温缓冲层生长、重结晶、初次三维生长、初次二维生长、三维生长、二维生长阶段，其激光实时反射率图谱呈现二次探底。本发明的优点在于：氮化镓薄膜表面平整、晶体质量良好，生长工艺窗口宽。 | ||
| 申请公布号 | CN101431018A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810236950.9 | 申请日期 | 2008.12.22 |
| 申请人 | 武汉华灿光电有限公司 | 发明人 | 何清华;刘榕;董彬忠;陈长清;刘昌 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 江西省专利事务所 | 代理人 | 胡里程 |
| 主权项 | 1、在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法，其特征在于：氮化镓生长转入初次二维生长阶段500—1200秒时，采用低V/III比生长来改变生长模式，使得氮化镓外延层的生长模式按低温缓冲层生长、重结晶、初次三维生长、初次二维生长、三维生长、二维生长阶段进行，其激光实时反射率图谱呈现二次探底。 | ||
| 地址 | 430223湖北省武汉市光谷滨湖路8号 | ||