发明名称 |
线性充电器及控制充电电流的方法 |
摘要 |
一种以NMOSFET为基础的线性充电器,其感测NMOSFET的源极耦接至充电NMOSFET的源极,或所述充电NMOSFET的源极虚短路至所述感测NMOSFET的源极,使所述二NMOSFET具有相同的闸源极压差,因而所述感测NMOSFET产生的汲源极电流反应所述充电NMOSFET的汲源极电流,再从所述感测NMOSFET的汲源极电流产生电流感测信号,用以控制所述充电NMOSFET的闸极电压。由于使用NMOSFET作为充电MOSFET,所述充电MOSFET的芯片面积可以大幅缩减。 |
申请公布号 |
CN101431295A |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200710168107.7 |
申请日期 |
2007.11.06 |
申请人 |
立锜科技股份有限公司 |
发明人 |
龚能辉;朱冠任 |
分类号 |
H02M3/156(2006.01)I;H02J7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/156(2006.01)I |
代理机构 |
上海天协和诚知识产权代理事务所 |
代理人 |
张恒康 |
主权项 |
1. 一种线性充电器,包括:一电源输入端,用以接受一输入电压;一电源输出端,其上具有一输出电压;一回路控制器,用以产生一控制信号;一驱动器,根据所述控制信号提供一高于所述输出电压的驱动电压;一充电NMOSFET,具有一汲极耦接所述电源输入端,一源极耦接所述电源输出端,以及一闸极接受所述驱动电压,以受控产生一充电电流;一感测NMOSFET,与所述充电NMOSFET共闸极;以及一电流设定/传感器,耦接在所述电源输出端与所述感测NMOSFET的源极之间,用以虚短路所述电源输出端至所述感测NMOSFET的源极,使得所述充电NMOSFET及所述感测NMOSFET具有一相同的闸源极压差,因而所述感测NMOSFET产生一汲源极电流反射所述充电电流的大小,进而根据所述汲源极电流的大小提供一电流感测信号给所述回路控制器,据以决定所述控制信号。 |
地址 |
中国台湾上海市浦东新区新竹县竹北市台元街20号5楼 |