| 发明名称 | 闪存结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种闪存结构的制备方法，首先形成多个介电区块于基板上并形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁，再利用蚀刻工艺局部去除未被所述第一间隙壁及所述介电区块覆盖的基板以形成多个第一沟槽于所述基板之中。之后，进行一沉积工艺以形成填满所述第一沟槽的隔离介电层并去除所述多个介电区块，再形成多个第二间隙壁于所述多个第一间隙壁的侧壁以及利用蚀刻工艺局部去除未被所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层覆盖的基板以形成多个第二沟槽于所述基板之中。 | ||
| 申请公布号 | CN101431044A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200710166687.6 | 申请日期 | 2007.11.05 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 潘建尉;曾增文;何明佑;许延有;钟志平;傅景鸿 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 许向华 |
| 主权项 | 1、一种闪存结构的制备方法，包含下列步骤：形成多个介电区块于基板上；形成多个第一间隙壁于所述多个介电区块的侧壁；局部去除未被所述多个第一间隙壁及所述多个介电区块覆盖的基板以形成多个第一沟槽于所述基板之中；进行一沉积工艺以形成填满所述第一沟槽的隔离介电层；去除所述多个介电区块；形成多个第二间隙壁于所述多个第一间隙壁的侧壁；以及局部去除未被所述第一间隙壁、所述第二间隙壁及所述隔离介电层覆盖的基板以形成多个第二沟槽于所述基板之中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园 | ||