| 发明名称 | 一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法，该低介电常数高品质微波介质陶瓷的化学成分组成式为Mg<sub>2</sub>(Si，Al)O<sub>4</sub>，它由MgO、SiO<sub>2</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>组成，其中，MgO、SiO<sub>2</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的摩尔百分比为：MgO∶SiO<sub>2</sub>∶Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>＝60～70∶15～35∶0～15。利用本发明提供低介电常数高品质微波介质陶瓷可做为电子线路基板、谐振器、滤波器、微波基板与微带线的核心材料使用，可以在电子线路、微波通信，卫星通信与雷达系统上具有重要应用前景和经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN101429009A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810163153.2 | 申请日期 | 2008.12.18 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 宋开新;郑梁;秦会斌 |
| 分类号 | C04B35/04(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 周 烽 |
| 主权项 | 1. 一种低介电常数高品质微波介质陶瓷，其特征在于，它的化学成分组成式为：Mg2(Si，Al)O4，它由MgO、SiO2和Al2O3组成，其中，MgO、SiO2和Al2O3的摩尔百分比为：MgO:SiO2:Al2O3＝60～70∶15～35∶0～15。 | ||
| 地址 | 310018浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街 | ||