| 发明名称 | 基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。该器件具有工艺简单、易于集成、功率高、热性能好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101431106A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810219701.9 | 申请日期 | 2008.12.05 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 王 钢;宋爱民;许坤远 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G01N23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 1、一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，其特征在于：该有源层由具有负微分迁移率的材料制成，它包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市新港西路135号 | ||