| 发明名称 | 用于制造闪存器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造闪存器件的方法包括：在半导体衬底上方形成线图样；形成第一介电隔离层，该第一介电隔离层具有形成在线图样的侧壁上的垂直延伸部分和形成在半导体衬底上方并且与半导体衬底接触的水平延伸部分；去除第一介电隔离层的水平延伸部分；以及然后在第一介电隔离层的垂直延伸部分的侧壁上以及在去除了第一介电隔离层的水平延伸部分的半导体衬底的区域上形成第二介电隔离层。 | ||
| 申请公布号 | CN101431026A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810175818.1 | 申请日期 | 2008.11.04 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 宣锺元 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种用于制造闪存器件的方法，包括：在半导体衬底上方按预定的间隔形成多个平行的器件隔离层；在包含所述器件隔离层的所述半导体衬底上方形成包含隧道氧化层、浮栅层、ONO层和控制栅极层的栅极堆栈结构；在所述栅极堆栈结构的侧壁上形成第一介电隔离层；刻蚀部分所述第一介电隔离层；以及然后在刻蚀所述第一介电隔离层的所述部分之后在所述第一介电隔离层的侧壁上方形成第二介电隔离层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||