| 发明名称 | 半导体器件及其方法、以及具有半导体器件的电子装置 | ||
| 摘要 | 为了将包括集成电路的半导体器件连接至以天线为代表的外电路，设计待形成在半导体器件上的接触电极的形状，使得外电路与接触电极不易产生不良连接并且提供具有高度可靠性的接触电极。接触电极利用具有切角或楔形形状的橡皮辊通过丝网印刷方法形成。接触电极具有外围部分和中间部分。外围部分具有膜厚从中间部分朝向端部减小的渐窄部分，而中间部分具有延续渐窄部分的突出部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101432869A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200780015076.X | 申请日期 | 2007.04.17 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山田大干;青木智幸 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：集成电路；以及用于连接集成电路至外电路的电极，其中，电极包括在电极中间部分的突出部分，以及其中，电极的厚度从电极的中间朝向电极的边缘减小。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||