| 发明名称 | 三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的纳米电路结构技术领域，公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构，该结构从上至下依次由顶层CMOS器件、分子开关器件和底层CMOS器件连接而成；所述顶层CMOS器件通过通孔与分子开关器件上电极连接，底层CMOS器件通过通孔与分子开关器件下电极连接，所述顶层CMOS器件与底层CMOS器件键合连接在一起。利用本发明，避免了不在同一平面上的通孔与上下电极的影响，同时将电路集成度提高了一倍，具有较高的创新意义及实用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN101431070A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200710176934.0 | 申请日期 | 2007.11.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 涂德钰;刘 明;王 慰;商立伟;谢常青 |
| 分类号 | H01L25/16(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构，其特征在于，该结构从上至下依次由顶层CMOS器件、分子开关器件和底层CMOS器件连接而成；所述顶层CMOS器件通过通孔与分子开关器件上电极连接，底层CMOS器件通过通孔与分子开关器件下电极连接，所述顶层CMOS器件与底层CMOS器件键合连接在一起。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||