| 发明名称 | 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够与现有技术相比，将被蚀刻层蚀刻成更微细的图案的等离子体蚀刻方法、控制程序、计算机存储介质和等离子体蚀刻装置。将上层抗蚀剂层(104)作为掩模，进行等离子体蚀刻，在中间层(103)中，侧壁面为圆锥状，形成尺寸比上层抗蚀剂层(104)的开口部的尺寸小的开口部。接着，将中间层(103)作为实质的掩模，进行等离子体蚀刻，在下层有机膜层(102)中，形成尺寸比上层抗蚀剂层(104)的开口部的尺寸小的开口部。而且，将下层有机膜层(102)作为实质的掩模，对被蚀刻层(101)进行等离子体蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN100487861C | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200610080920.4 | 申请日期 | 2006.05.22 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 内藤和香子 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体蚀刻方法，对于在被蚀刻层上具有至少由下层有机膜层、中间层和上层抗蚀剂层的叠层构造构成的掩模层的被处理体，使所述上层抗蚀剂层曝光、显影成规定图案，将得到的图案作为掩模，对所述中间层进行等离子体蚀刻后，将该中间层作为掩模对所述下层有机膜层进行等离子体蚀刻，形成用于对所述被蚀刻层进行等离子体蚀刻的蚀刻掩模，其特征在于：其使用在支撑所述被处理体的支撑电极和与该支撑电极相对配置的对置电极两者上施加高频电力的等离子体蚀刻装置，对所述中间层进行等离子体蚀刻形成的该中间层的开口部的尺寸比在所述上层抗蚀剂层上形成的对应图案的开口部的尺寸小，并且，一边进行所述中间层的等离子体蚀刻，一边使反应生成物附着在该中间层的开口部侧壁上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||