发明名称 |
一种微晶硅薄膜太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型提供了一种微晶硅薄膜太阳能电池,包括基底材料层、在基底材料层上方设有二氧化锡透明导电薄膜层,在二氧化锡透明导电薄膜层上方设有P型微晶硅层,在P型微晶硅层上方设有i型微晶硅层,在i型微晶硅层上方设有n型微晶硅层,在二氧化锡透明导电薄膜层与P型微晶硅层之间设有非晶硅层。本实用新型的优点是:采用廉价的二氧化锡导电膜作为微晶硅电池的前电极,利用P型非晶硅作为阻挡层,工艺简单,无需增加额外的设备,而且增加的P型非晶硅对电池的串联电阻和透光率无明显影响。 |
申请公布号 |
CN201238055Y |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200820151742.4 |
申请日期 |
2008.08.08 |
申请人 |
上海交大泰阳绿色能源有限公司 |
发明人 |
郭群超;孔慧;林飞燕;邓柳;李启龙 |
分类号 |
H01L31/075(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/075(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 |
代理人 |
翁若莹 |
主权项 |
1. 一种微晶硅薄膜太阳能电池,包括基底材料层(5)、在基底材料层(5)上方设有二氧化锡透明导电薄膜层(4),在二氧化锡透明导电薄膜层(4)上方设有P型微晶硅层(3),在P型微晶硅层(3)上方设有i型微晶硅层(2),在i型微晶硅层(2)上方设有n型微晶硅层(1),其特征在于,在二氧化锡透明导电薄膜层(4)与P型微晶硅层(3)之间设有非晶硅层(6)。 |
地址 |
200240上海市闵行区剑川路951号沧源工业园内 |