发明名称 |
一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器 |
摘要 |
本发明属于纳米电子器件技术领域,具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成,绝缘层中由金属有机络合物M-TCNQ纳米线(阵列)将底电极与顶电极连接,这里M为Ag,Cu,K或Mg。本发明利用M-TCNQ纳米线的可逆电双稳性质:当电压达到某一阈值时,M-TCNQ纳米线将从高阻态跃迁为低阻态,且电阻率差值很大,可达5-6个数量级,跃迁时间很短,小于50纳秒;在电压(电场)撤去后,又自动回到高阻态。本发明可用于制备超快速、高可靠过电压保护器等开关器件。由于这种器件利用的是纳米线的本身性质,不需掺杂、不需PN结,因而具有抗辐射的功能。 |
申请公布号 |
CN100487827C |
申请公布日期 |
2009.05.13 |
申请号 |
CN200610025887.5 |
申请日期 |
2006.04.20 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
陈国荣;郑凯波;沈浩颋;叶春暖;莫晓亮;姚彦;孙大林 |
分类号 |
H01C7/10(2006.01)I;H01C7/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
陆 飞;盛志范 |
主权项 |
1、一种纳秒级响应、抗辐射纳米线过电压保护器,其特征在于依次由导电基底、绝缘层、顶电极组成,其中,绝缘层洞孔中有金属有机络合物M-TCNQ形成的纳米线将导电基底和顶电极连接,导电基底为底电极,底电极与顶电极由导线引出;这里的金属M为Ag、Cu、K或Mg,TCNQ为7,7,8,8—四氰基对醌二甲烷。 |
地址 |
200433上海市邯郸路220号 |