半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的在于不用复杂的工艺、器件就能制造具有所要求特性的薄膜晶体管。其目的还在于，通过对薄膜晶体管的特性进行精密、自由的控制，提供一种能以低成本高合格率来制造可靠性高电特性好的半导体器件的技术。本发明的薄膜晶体管，在被栅极电极层覆盖的半导体层的源极区域侧或漏极区域侧制作低浓度的掺杂区域。低浓度掺杂区域是通过将栅极电极层作为掩膜，对着半导体层表面斜着进行掺杂而形成的。因而，能进行薄膜晶体管的精细特性的控制。

主权项

1. 一种半导体器件，其特征在于，在第1半导体层和第2半导体层上有栅极绝缘层，所述第1半导体层有第1沟道形成区域、第1源极区域、第1漏极区域、在所述第1沟道形成区域与所述第1源极区域之间的第1掺杂区域，所述第2半导体层有第2沟道形成区域、第2源极区域、第2漏极区域、在所述第2沟道形成区域与所述第2漏极区域之间的第2掺杂区域，所述第1沟道形成区域与所述第1漏极区域连接设置，所述第2沟道形成区域与所述第2源极区域连接设置，在所述第1沟道形成区域和所述第1掺杂区域上经所述栅极绝缘层有第1栅极电极层，在所述第2沟道形成区域和所述第2掺杂区域上经所述栅极绝缘层有第2栅极电极层，在所述第1源极区域、所述第2源极区域、所述第1漏极区域以及所述第2漏极区域的表面有硅化物。