| 发明名称 | 形成多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：提供一基板，并在该基板上形成一非晶硅薄膜，然后感应数个涡电流，进而加热该基板，最后使该非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100487862C | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200510098656.2 | 申请日期 | 2005.09.07 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 张启明;张荣芳;陈宏泽;翁得期 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁 挥;徐金国 |
| 主权项 | 1、一种形成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板为磁性基板或金属基板；在该基板上形成一非晶硅薄膜；在该非晶硅薄膜上形成一绝缘层；以及感应数个涡电流，直接加热该基板，热能传至该非晶硅薄膜，使该非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||