| 摘要 |
【課題】ベース部をフィンの孔に圧入する際に生じる半導体チップに対する応力を低減し、電気的特性の劣化を防止して信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】フィン10に対するベース部１の硬度、及びフィン10の厚さFに対するベース底部８の厚さB、及びリード７の直径Wと半導体チップ５の幅Cを最適化することでベース部をフィンの孔に圧入する際に生じる半導体チップに対する応力を低減する。フィン10の高さに対し充分に硬度を持ったベース部１は圧入時の応力に対し強固に反発することで半導体チップ５への応力緩和を防止する。【選択図】図１ |
