Erhöhte Zuverlässigkeit für eine Kontaktstruktur zur Verbindung eines aktiven Gebiets mit einer Polysiliziumleitung

摘要

Durch Bilden einer direkten Kontaktstruktur, die beispielsweise eine Polysiliziumleitung mit einem aktiven Gebiet verbindet, auf der Grundlage einer größeren Menge an Metallsilizid durch Entfernen der Seitenwandabstandshalter vor dem Silizidierungsprozess wird eine deutlich größere Ätzselektivität während des Öffnens der Kontaktätzstoppschicht erreicht. Somit kann ein unerwünschtes Ätzen des stark dotierten Siliziummaterials des aktiven Gebiets unterdrückt werden. Zusätzlich oder alternativ wird eine geeignete Teststruktur vorgesehen, die das Erkennen elektrischer Eigenschaften von Kontaktstrukturen ermöglicht, die gemäß einer spezifizierten Fertigungssequenz und auf der Grundlage spezieller Entwurfskriterien hergestellt sind.