SOI-Substrate mit einer feinen vergrabenen Isolationsschicht

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur mit einer feinen vergrabenen Isolationsschicht mit einer Dicke zwischen 2 und 25 nm angegeben, das die folgenden Schritte umfasst: Ausbilden wenigstens einer Isolationsschicht auf einer Oberfläche eines ersten Substrats und/oder auf einer Oberfläche eines zweiten Substrats, wobei die Oberflächen frei von einem Isolator sind oder eine native Oxidschicht aufweisen, die aus einer Exposition der Substrate an die Umgebung resultiert; Montieren des ersten und des zweiten Substrats; und Ausdünnen des ersten Substrats, um die Halbleiterstruktur zu erhalten; wobei der Schritt zum Ausbilden der Isolationsschicht eine Plasmaaktivierung auf der Basis eines Oxidations- und/oder Nitrierungsgases umfasst.