Verfahren zur Einstellung der Höhe einer Gateelektrode in einem Halbleiterbauelement

摘要

Durch Vorsehen eines Implantationsblockiermaterials auf den Gateelektrodenstrukturen von modernen Halbleiterbauelementen während der Ausführung von Implantationsprozessen mit hoher Energie kann die erforderliche abschirmende Wirkung in Bezug auf die Kanalgebiete der Transistoren gewährleistet werden. In einer späteren Fertigungsphase wird der implantationsblockierende Bereich entfernt, um damit die Höhe der Gateelektroden auf einen gewünschten Betrag zu verringern, um damit die Prozessbedingungen während des Abscheidens eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials zu verbessern, wodurch die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens von Unregelmäßigkeiten, etwa von Hohlräumen, in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial selbst in dicht gepackten Bauteilgebieten deutlich verringert wird.